In the process of semiconductor manufacturing moving towards the 3nm process, the lapping and polishing machine is mountedCMP (Chemical Mechanical Polishing)technology has become the ultimate solution to achieve global wafer flattening。

针对硅片、覆铜硅基以及金半混合表面在多层堆叠中产生的微米级起伏，高精度CMP设备通过纳米磨料配方与分区加压的协同作用，将表面粗糙度精准控制在0.1nm以内。在5G射频芯片制造中，其独创的铜/钽双材料同步抛光工艺突破界面高度差难题，使覆铜层厚度偏差≤5Å；而在三维封装领域，智能终点检测系统可自动识别10nm级金属互连层差异，消除介质凹陷缺陷。

该技术使28nm以上晶圆平坦化良率达99.98%，推动半导体行业突破“摩尔定律”极限，成为先进制程不可或缺的基石工艺。